(от англ. planar - плоский) - высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Осн. операции П. т.: нанесение тонкой диэлектрич. плёнки на поверхность кристаллич. полупроводника (Si, Ge, GaAs и др.); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определ. участков этой плёнки; введение в кристалл через незащищённые плёнкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с р - п-переходами.
Смотреть больше слов в «Большом энциклопедическом политехническом словаре»
планарный процесс (англ. planar, от лат. planus — плоский, ровный), первоначально — совокупность технологических операций, проводимых для получ... смотреть
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ, планарный процесс (англ. planar, от лат. planus - плоский, ровный), первоначально - совокупность технологич. операций, проводим... смотреть
(от англ. planar-плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с... смотреть
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ . planar - плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.<br><br><br>... смотреть
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ. planar - плоский) - высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.<br>... смотреть
- (от англ. planar - плоский) - высокопроизводительныйметод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральныхсхем. Основные операции планарной технологии: создание тонкойдиэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si,Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографииопределенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенныепленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). Врезультате этих операций в кристалле образуются области сэлектронно-дырочными переходами.... смотреть
(от англ planar -плоский), высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Осн. операции П. т : создани... смотреть
planar process электрон., planar technology* * *planar technology
(изготовления микросхем) Ebenentechnik
technologie planar
planar technology
planar technology
planar technology
planar approach микр., planar, planar process
• planární technika
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ . planar - плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.... смотреть
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ. planar - плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.... смотреть